半导体真空腔体的应用
中国半导体真空腔体市场近几年快速发展,越来越多的公司也表达了进入芯片领域的兴趣.以存储芯片为例,以前中国国内存储芯片完全靠进口,今年福建晋华集成电路的内存生产线有望投产,另外长江存储科技公司也在建设内存和闪存芯片生产线.格力、康佳等传统家电企业也表示,将进入芯片领域.
据国际半导体设备与材料协会报告显示,中国目前正在天津、西安、北京、上海等16个地区打造25个FAB建设项目,福建晋华集成电路、长江存储科技公司等企业技术水平虽不及韩国,但均已投入芯片量产.报告预测,今年中国半导体设备市场规模有望达118亿美元,实现同比43.9%的增长,并且明年市场规模有望扩大至173亿美元,增长46.6%,成为大市场.而同一时期内韩国的半导体设备市场规模从179.6亿美元减少至163亿美元,减幅为9.2%.中国超越韩国成为全球很大半导体设备市场.
常见真空腔体技术性能
材质：不锈钢、铝合金等
腔体适用温度范围：-190℃~+1500℃(水冷)
密封方式：氟胶O型圈或金属无氧铜圈
出厂检测事项：
1、真空漏率检测1.3*10-10mbar*l/s
2、水冷水压检测：8公斤24小时无泄漏检测.
内外表面处理：拉丝抛光处理、喷砂电解处理、酸洗处理、电解抛光处理和镜面抛光处理等.
影响真空绝缘水平的主要因素
电极资料
真空开关作业在10-2Pa以上的高真空，因为此刻气体分子十分稀疏，气体分子的碰撞游离对击穿已经不起效果，因而击穿电压表现出和电极资料有较强的相关性。
真空空隙的击穿电压跟着电极资料的不同而不同，研究者发现击穿电压和资料的硬度与机械强度有关。一般来说，硬度和机械强度较高的资料，往往有较高的绝缘强度。比如，钢电极在淬火后硬度进步，其击穿电压较淬火前可进步80%。
此外，击穿电压还和阴极资料的物理常数如熔点、比热和密度等正相关，即熔点较高的资料其击穿电压也较高。比照热和密度而言亦然。这一问题的实质是在相同热能的效果下，资料发作熔化的概率越大，则击穿电压越低。
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